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RF6691TR1
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IRF6691TR1 , Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Technologies
Mfr.Part #: IRF6691TR1
Paket:
RoHS:
Datenblatt:

PDF For IRF6691TR1

Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Angebotsanfrage In Stock: 271533
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Technische Produktspezifikationen
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 4.5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(Th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6580 pF @ 10 V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MT
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss) 20 V
Package / Case DirectFET™ Isometric MT
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±12V
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Querverweise
11945229
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11945229&N=
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